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特徴
●GaAsアクティブデバイス
● パワーゲイン@34dB
● 低歪み
● 優れたリニアゲイン
● 低い雑音指数
● 高信頼性側面図
● 低コスト
説明
SMG6342は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール.
この部品は GaAs ダイを採用しており、電源供給により 50MHz ～ 550MHz で動作します。
| 特徴 | ||||||
| （帯域幅50～550MHZ、Tmb＝25℃、VB＝24V、ZS＝ZL＝75Ω） | ||||||
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シンボル
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パラメータ
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ユニット
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最小。
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典型的な
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マックス。
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条件
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Gp
|
パワーゲイン
|
dB
|
33.5 | - |
34.5
|
f=50MHZ
|
|
Gp
|
パワーゲイン
|
dB
|
- | 35 | - |
f=550MHZ
|
|
SL
|
傾斜ケーブル相当
|
dB | - | - |
2.0
|
f=50～550MHZ
|
|
FL
|
周波数応答の平坦性
|
dB | - | - |
±0.5
|
f=50～550MHZ
|
|
S11
|
入力リターンロス
|
dB | - | - |
-16
|
f=50～550MHZ
|
|
S22
|
出力リターンロス
|
dB | - | - |
-16
|
f=50～550MHZ |
|
CTB
|
コンポジットトリプルビート
|
dB | - | - | -62 | PAL60チャンネルフラット。 Vo=44dBmV;
CTBは543.25MHzで測定。
CSOは544.5MHzで測定。
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|
CSO
|
複合二次歪み
|
dB | - | - | -63 | |
|
Xモッド
|
クロスモジュレーション
|
dB | - | - | -55 | |
|
Vo
|
出力電圧
|
dBmV
|
60 | - | - |
ディム=-60dB
|
| F |
雑音指数
|
dB | - |
-4.0
|
- |
f=860MHz
|
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I全部
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総消費電流
|
mA
|
260 |
310
|
- |
VB=+24V
|
当社の製品の詳細についてもっと知りたい場合は、E-Catelog と FOC サンプルを入手するために返信してください。ありがとうございます。
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