MMIC ローノイズアンプ・GaAs PHEMT

広帯域RFフロントエンド向け低雑音増幅器

サンランド社のGaAs MMIC低雑音増幅器は、低雑音、高利得、高直線性を兼ね備え、小型RF受信機およびフロントエンド設計に最適です。

掲載されている製品ポートフォリオは、携帯電話インフラ、CATVネットワーク、5GHzシステム、ONUアプリケーションを網羅しており、コンパクトなDFNパッケージと単一電源運用に対応しています。

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低騒音

0.30 dBという低いNF値

ブロードバンド

最大8.5GHzまでのオプションが記載されています

コンパクト統合

DFNパッケージは1.5×1.5mmまで対応可能

製品比較

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周波数範囲、利得、雑音指数、OIP3、P1dB、電源要件、パッケージサイズを比較してください。

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製品	RF特性			線形性		パワー＆パッケージ
部品番号低雑音増幅器MMIC	頻度 GHz	標準ゲイン dB	ノイズ指数 dB	OIP3 dBm	標準P1dB dBm	供給 V / mA	パッケージ
AL34 データシート（PDF）↗	1.5～2.5 0.1～1.2	18 18	0.55 1	35 35	22 21	5V 55mA	DFN 2 × 2、8L
AL36 データシート（PDF）↗	0.7～3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3～5V 30～100mA	DFN 2 × 2、8L
AL37データシート（PDF）↗	0.7～3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3～5V 30～100mA	DFN 2 × 2、8L
AL411データシート（PDF）↗	0.6～4.2	22	0.65 @ 2.6 GHz 0.7 @ 3.6 GHz	35	19	5V 65mA	DFN 2 × 2、8L
AL415 データシート（PDF）↗	0.6～6	20	0.95 @ 5.5 GHz	34	17	5V 60mA	DFN 2 × 2、8L
SL16 データシート（PDF）↗	0.4～8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	5V 62mA	DFN 2 × 2、8L
SL18 データシート（PDF）↗	0.4～8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	3.3V 72mA	DFN 2 × 2、8L
SL5404データシート（PDF）↗	4.9～5.9	13	1.2 @ 4.9～5.9 GHz	20	9	3.3V 13mA	DFN 1.5 × 1.5、6L

特徴

鉛フリー、RoHS指令準拠環境規制に準拠した製品統合のために。

温度変化に対する安定したゲイン動作条件に関わらず、安定したRF性能をサポートします。

1000V ESD、クラス1C定義されたデバイス保護特性。

単一電源からの運転電源アーキテクチャとRFフロントエンドの統合を簡素化します。

アプリケーション

01CATVネットワーク

02携帯電話、GSM、UMTS、5GHz

03国連

LNA設計の焦点

RFフロントエンドにおける感度、ゲイン、直線性のバランス

SANLANDのLNAオプションは、セルラー、CATV、ONU、ブロードバンド無線システムなど、幅広い用途に対応する低ノイズ受信機設計をサポートします。

比較対象

ノイズ指数受信機の感度を維持するために不可欠。

得後段の信号増幅の前に、フロントエンドの信号増幅を設定します。

OIP3およびP1dB直線性および利用可能なRFヘッドルームを示します。

供給と梱包バイアス要件とPCB統合の制約を確認してください。

テクノロジーと統合

GaAs pHEMT MMICRF受信段向け低ノイズ半導体プラットフォーム。

コンパクトDFN高密度RF基板レイアウト向けの薄型パッケージ。

単品バイアスと電力系統の統合を簡素化します。

ブロードバンドオプションマルチGHz帯のRF帯域まで拡張する設計をサポートします。

MMIC低雑音増幅器

LNAの要件について話し合う

周波数範囲、ゲイン、雑音指数、直線性、電源、パッケージに関する要件をお知らせください。
弊社のRFチームが、お客様の設計に最適なSANLAND製LNAをご提案いたします。

申請審査およびLNAの推薦

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