AG55 HBT MMIC カスケード可能なゲインブロック

主な特長

● 中出力: 2.7GHz で 27dBm P1dB

●優れた直線性: 2.7GHz で 45 dBm OIP3

● 高ゲイン: 2.7GHz で 14 dB

●高効率：5V/125mA

● オンチップアクティブバイアス制御

● 鉛フリー/グリーン/RoHS準拠のSOT89パッケージ

●ESD1000V HBM

製品カテゴリ

AG55 HBT MMIC カスケード可能なゲインブロック

Sanland の AG55 は、低コストの表面実装可能なプラスチックパッケージに収められた高効率 GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (HBT) MMIC です。これらの HBT MMIC は分子線エピタキシャル成長技術を使用して製造されており、ウェハごと、ロットごとに信頼性が高く一貫した性能を生み出します。これらのアンプは、400 ～ 4000 MHz のセルラー、ISM、WLL、PCS、WCDMA アプリケーションにおけるインフラストラクチャ機器のドライバーデバイスとして使用するために特別に設計されています。高い直線性により、デジタルアプリケーションだけでなくマルチキャリアアプリケーションにも理想的な選択肢となります。

タイプ	下流
最小周波数(GHz)	0.4
最大周波数(GHz)	4.0
ゲイン(dB)	12.0
入力リターンロス(dB)	-18
出力リターンロス(dB)	-10
NF(dB)	6.5
電圧(V)	5
電流(mA)	250
パッケージ型式	SOT-89
RoHS	はい
無鉛の	はい
ハロゲンフリー	はい、もしくは、いいえ

主な用途

ワイヤレスシステム
IF&RFドライバーアンプ

アプリケーションの電気的特性

パラメータ	仕様			単位	ノート
	仕様
	分	典型的。	マックス
周波数	0.4		4.0	GHz
得	19	21	23	dB	850MHz
	14	15.5		dB	1960MHz
	13	14		dB	2700MHz
		12		dB	3500MHz
P-1dB	26	24.5		dBm	850MHz
		28		dBm	1960MHz
		27		dBm	2700MHz
		25.5		dBm	3500MHz
OIP3	40	44		dBm	850MHz
	40	44		dBm	1960MHz
		45		dBm	2700MHz
		43		dBm	3500MHz
入力戻る損失	-10	-15		dB	850MHz
		-17		dB	1960MHz
		-13		dB	2700MHz
		-18		dB	3500MHz
出力戻る損失		-10		dB
逆絶縁		-25		dB
NF		5.0	6.5	dB
Vs		5.0	5.5	V
IC	115	126	140	mA
測定条件：Vs=5V ID=126mA Typ. OIP3 トーン間隔=1MHz、トンあたりの出力=+5dBm TL=25℃ ZS=ZL=50Ω