カスケード可能な MMIC アンプ

カスケード可能な MMIC アンプ

AG55 HBT MMIC カスケード可能なゲイン ブロック

Gain Block Amplifiers

AG55 HBT MMIC カスケード可能なゲイン ブロック

主な特長

● 中出力: 2.7GHz で 27dBm P1dB
●優れた直線性: 2.7GHz で 45 dBm OIP3
● 高ゲイン: 2.7GHz で 14 dB
●高効率:5V/125mA
● オンチップアクティブバイアス制御
鉛フリー/グリーン/RoHS準拠のSOT89パッケージ
●ESD1000V HBM

AG55 HBT MMIC カスケード可能なゲイン ブロック

Sanland の AG55 は、低コストの表面実装可能なプラスチック パッケージに収められた高効率 GaAs ヘテロ接合バイポーラ トランジスタ (HBT) MMIC です。これらの HBT MMIC は分子線エピタキシャル成長技術を使用して製造されており、ウェハごと、ロットごとに信頼性が高く一貫した性能を生み出します。これらのアンプは、400 ~ 4000 MHz のセルラー、ISM、WLL、PCS、WCDMA アプリケーションにおけるインフラストラクチャ機器のドライバー デバイスとして使用するために特別に設計されています。高い直線性により、デジタル アプリケーションだけでなくマルチキャリア アプリケーションにも理想的な選択肢となります。

タイプ 下流
最小周波数(GHz) 0.4
最大周波数(GHz) 4.0
ゲイン(dB) 12.0
入力リターンロス(dB) -18
出力リターンロス(dB) -10
NF(dB) 6.5
電圧(V) 5
電流(mA) 250
パッケージ型式 SOT-89
RoHS はい
無鉛の はい
ハロゲンフリー はい、もしくは、いいえ

 

主な用途

  • ワイヤレスシステム
  • IF&RFドライバーアンプ

 

アプリケーションの電気的特性

 

 

パラメータ 仕様 単位 ノート
典型的。 マックス
周波数 0.4   4.0  GHz  
19 21 23 dB 850MHz
14 15.5 dB 1960MHz
13 14 dB 2700MHz
  12 dB 3500MHz
P-1dB 26 24.5   dBm 850MHz
28 dBm 1960MHz
27 dBm 2700MHz
25.5 dBm 3500MHz
OIP3 40 44   dBm 850MHz
40 44 dBm 1960MHz
  45 dBm 2700MHz
  43 dBm 3500MHz
入力 戻る 損失 -10 -15   dB 850MHz
-17 dB 1960MHz
-13 dB 2700MHz
-18 dB 3500MHz
出力 戻る 損失   -10   dB  
逆絶縁   -25   dB  
NF   5.0  6.5 dB  
Vs   5.0  5.5 V  
IC 115 126 140 mA  
測定条件:Vs=5V ID=126mA Typ. OIP3 トーン間隔=1MHz、トンあたりの出力=+5dBm TL=25℃ ZS=ZL=50Ω

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