ローノイズアンプ (LNA)

ローノイズアンプ (LNA)

AL33 GaAs MMIC ローノイズアンプ

AL33 GaAs MMIC ローノイズアンプ

AL33 GaAs MMIC ローノイズアンプ

主な特長

● 900MHzで0.4dBの雑音指数
● 900MHzで35dBm出力IP3
●0.4GHzから最大1.5GHzまで最適使用
●小型パッケージサイズ:2.0×2.0×0.75mm3
● 5V 単一電源
●ESD 250V HBM
●MSL:レベル1
● 1.5GHz ~ 2.4GHz で使用する AL34 と同じパッケージとピン構成を共有

AL33 GaAs MMIC ローノイズアンプ

Sanland の AL33 は、経済的で使いやすい GaAs MMIC 低ノイズ アンプ (LNA) です。 LNA は、0.5um GaAs エンハンスメントモード pHEMT プロセスの使用により、低ノイズと高い直線性を実現します。小型の 2.0 x 2.0 x 0.75mm3 8 ピン クアッドフラット ノンリード (QFN) パッケージに収められています。 400MHz から 1.5GHz まで最適に使用できるように設計されています。 AL33 は、コンパクトな設置面積と薄型、さらに低ノイズ、高ゲイン、高直線性を備えているため、GSM および CDMA のセルラー インフラストラクチャの低ノイズ アンプとして理想的な選択肢となります。

タイプ 下流
最小周波数(GHz) 0.4
最大周波数(GHz) 1.5
ゲイン(dB) 19.4
入力リターンロス(dB) -16
出力リターンロス(dB) -12
NF(dB) 0.4
電圧(V) 5
電流(mA) 135
パッケージ型式 QFN
RoHS はい
無鉛の はい
ハロゲンフリー はい、もしくは、いいえ

 

主な用途

  • 携帯電話インフラストラクチャおよびその他の超低ノイズ アプリケーション用の LNA。

 

アプリケーションの電気的特性

 

パラメータ 仕様 単位 ノート
典型的。 マックス
周波数 0.4   1.5 GHz  
17.5 20.3 21   800MHz
19.7 850MHz
19.4 900MHz
P-1dB 20 22.1     800MHz
20 22.1 850MHz
20 22.2 900MHz
OIP3 33 34.5     800MHz
33 34.8 850MHz
33 35 900MHz
入力 戻る 損失   -15 -10   800MHz
-15 -10 850MHz
-16 -10 900MHz
出力 戻る 損失   -12 -10   800MHz
-12 -10 850MHz
-12 -10 900MHz
NF   0.4 0.55   800MHz
0.4 0.55 850MHz
0.4 0.55 900MHz
逆絶縁   -28     800MHz
-27 850MHz
-27 900MHz
Vs   5 5.5 V  
IC 40 55 80 mA  
測定条件:VDD=5V、IDD=55mA Typ. OIP3 トーン間隔 = 1MHz、トンあたりの出力 = +5 dBm TL=25℃、ZS=ZL=50Ω

 

 

 

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