ローノイズアンプ (LNA)

ローノイズアンプ (LNA)

AL37 15.7dB 0.7-3.8GHz GaAs MMIC 低ノイズアンプ

GaAs MMIC Low Noise Amplifier

AL37 15.7dB 0.7-3.8GHz GaAs MMIC 低ノイズアンプ

主な特長

● 超低評価ボード NF: 0.30 dB @ 850 MHz、0.40 dB @ 1850 MHz、0.50 dB @ 2500 MHz、0.75 dB @ 3600 MHz
● 高い OIP3 パフォーマンス: 700 ~ 3800MHz で >+34 dBm
●供給電流を30~100mAまで調整可能
●柔軟なバイアス電圧: 3 ~ 5 V
● 温度とプロセスに安定したアクティブ バイアス
● 小型 DFN (8 ピン、2 x 2 mm) パッケージ (JEDEC J-STD-020 に準拠した MSL1 @ 260 C)

AL37 15.7dB 0.7-3.8GHz GaAs MMIC 低ノイズアンプ

Sanland の AL37 は、経済的で使いやすい GaAs MMIC 低ノイズ アンプ (LNA) です。 LNA は、0.25um GaAs エンハンスメントモード pHEMT プロセスの使用により、低ノイズと高い直線性を実現します。小型の 2.0 x 2.0 x 0.75mm3 8 ピン クアッドフラット ノンリード (QFN) パッケージに収められています。内部アクティブ バイアス回路は、温度やプロセスの変動に対して安定した性能を提供します。このデバイスは、供給電流を外部から調整する機能を提供します。電源電圧は、RF チョーク インダクタを介して RFOUT/VDD ピンに印加されます。適切な動作を保証するには、RFIN ピンと RFOUT/VDD ピンを DC ブロックする必要があります。 AL36 は、共通のレイアウトと帯域固有の調整を使用して、0.7 ~ 3.8 GHz の周波数範囲で動作します。

タイプ 下流
最小周波数(GHz) 0.7
最大周波数(GHz) 3.8
ゲイン(dB) 15.7
S11(dB)
-11
S22(dB)
-14
NF(dB) 0.75
電圧(V) 3-5
電流(mA) 30~100
パッケージ型式 QFN
RoHS はい
無鉛の はい
ハロゲンフリー はい、もしくは、いいえ

 

主な用途

  • LTE、GSM、WCDMA、HSDPA マクロおよびマイクロ基地局
  • LおよびSバンド超低ノイズ受信機
  • セルラーリピーター、DAS、RRH/RRU
  • +105 °C までの高温トランシーバー アプリケーション

 

 

 

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