カスタムローノイズアンプ (LNA)、ローノイズアンプ (LNA) メーカー、ローノイズアンプ (LNA) 卸売

AL33 GaAs MMIC ローノイズアンプ

主な特長 ● 900MHzで0.4dBの雑音指数 ● 900MHzで35dBm出力IP3 ●0.4GHzから最大1.5GHzまで最適使用 ●小型パッケージサイズ：2.0×2.0×0.75mm3 ● 5V 単一電源 ●ESD 250V HBM ●MSL：レベル1 ● 1.5GHz ～ 2.4GHz で使用する AL34 と同じパッケージとピン構成を共有

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AL34 0.5dB 1.5-2.6GHz ローノイズアンプ

主な特長 ● 1900MHzで0.5dBの雑音指数 ● 1900MHzで35dBm出力IP3 ●1.5GHzから最大2.6GHzまで最適使用 ●小型パッケージサイズ：2.0×2.0×0.75mm3 ● 5V 単一電源 ●ESD 250V HBM ●MSL：レベル1 ● AL33 と同じパッケージとピン構成を共有し、0.4GHz ～ 1.5GHz で使用

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AL36 GaAs PHEMT MMIC 低雑音アンプ

主な特長 ● 超低評価ボード NF: 0.30 dB @ 850 MHz、0.40 dB @ 1850 MHz、0.50 dB @ 2500 MHz、0.75 dB @ 3600 MHz ● 高い OIP3 パフォーマンス: 700 ～ 3800 MHz で >+34 dBm ●供給電流を30～100mAまで調整可能 ●柔軟なバイアス電圧: 3 ～ 5 V ● 温度とプロセスに安定したアクティブバイアス ● 小型 DFN (8 ピン、2 x 2 mm) パッケージ (JEDEC J-STD-020 に準拠した MSL1 @ 260 C)

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AL37 15.7dB 0.7-3.8GHz GaAs MMIC 低ノイズアンプ

主な特長 ● 超低評価ボード NF: 0.30 dB @ 850 MHz、0.40 dB @ 1850 MHz、0.50 dB @ 2500 MHz、0.75 dB @ 3600 MHz ● 高い OIP3 パフォーマンス: 700 ～ 3800MHz で >+34 dBm ●供給電流を30～100mAまで調整可能 ●柔軟なバイアス電圧: 3 ～ 5 V ● 温度とプロセスに安定したアクティブバイアス ● 小型 DFN (8 ピン、2 x 2 mm) パッケージ (JEDEC J-STD-020 に準拠した MSL1 @ 260 C)

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AL411 フラットゲイン超低ノイズアンプ

主な特長 ● 0.7 ～ 4.2 GHz の動作帯域幅 ● 超低雑音指数、0.6dB NF @ 2.6 GHz ● 0.7 ～ 4.2 GHz 全体で >20 dB ゲイン ● 2 ～ 4.2 GHz 全体でフラット 2 dB のゲイン変化 ●直線性を最適化するためにバイアスを調整可能 ● 55 mA IDD で 33 dBm OIP3 ●MSL：レベル1

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AL415 高直線性ローノイズアンプ

主な特長 ● 0.6～6 GHzの動作帯域幅 ● 超低雑音指数、0.95 dB NF @ 5.5 GHz ●直線性を最適化するためにバイアスを調整可能 ● 65mA IDD で 33.5 dBm OIP3 ● 1.8V TTL ロジックを備えた統合シャットダウン制御ピン ● 高いピンドライブでオフ状態を維持 ● +3V ～ +5V 電源、-Vgg は不要

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SL16 0.5-8GHz ローノイズアンプ

主な特長 ● 単一5V電源 ● ハイゲインブロードバンドパフォーマンス ●低消費電流 62mA@5V ● 2000MHzで1.65dBの雑音指数 ●小型DFN(8ピン、2×2mm)パッケージ

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SL18 ハイパワー 0.5-8GHz ローノイズアンプ

主な特長 ● 3.3 V 単一電源 ● ハイゲインブロードバンドパフォーマンス ● 低消費電流 75mA@3.3V ● 2000MHzで1.8dBの雑音指数 ●小型DFN(8ピン、2×2mm)パッケージ

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