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SG117は、DCから3.5GHzまでの汎用広帯域RF増幅用に設計されたGaAs pHEMTブロードバンドアンプです。高利得、低ノイズ、高直線性、無条件安定性をコンパクトな6ピンパッケージに凝縮したSG117は、無線、ブロードバンド、衛星通信システムのRFフロントエンド、バッファアンプ、ゲインステージに最適です。5Vの単一電源とコンパクトなSOT-363パッケージにより、スペースに制約のあるRF設計への組み込みが容易です。
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ピン | 関数 | 説明 |
| 1 | VCC | 入力ゲートのバイアス電圧 | |
| 2、4、5 | GND | GND | |
| 3 | RF出力/VCC | RF出力；RFチョークを通してVCCを印加；DCブロッキングコンデンサが必要 | |
| 6 | RF入力 | RF入力；DCブロッキングコンデンサが必要 |
本体サイズ: 2.2 × 1.35 × 1.1 mm 最大。
コンパクトな6ピンSOT-363パッケージを採用したSG117は、基板スペースが限られている広帯域MMICアンプの設計に適しています。
SG117は、DCから3.5GHzまでの広帯域RF増幅用に設計されています。
SG117は、標準的な静止電流が25mAの5V RFゲインブロックアンプであり、小型で低電流のRF設計に適しています。
SG117は、スペースに制約のあるRF設計に適した、コンパクトな6ピンSOT-363パッケージで提供されます。
SG117は、無線通信、ISMおよびWLANシステム、DBS/TVRO、RFフロントエンド、バッファアンプ、チューナー用途向けの広帯域RFゲインステージで使用できます。
はい。SG117は、NXP BGA2866、BGA2867、BGA2869などの既存のSOT-363広帯域MMICゲインブロックからの移行時に、エンジニアリング評価の対象として検討できます。回路構成、バイアスネットワーク、ゲイン要件、RF性能は、アプリケーションごとに個別に検証する必要があります。
RF性能
| パラメータ | 標準値 | 試験条件 |
| 周波数範囲 | DC～3.5GHz | — |
| 得 | 24.5 dB | @ 1 GHz |
| ノイズ指数 | 2.7 dB | @ 1 GHz |
| OIP3 | +21 dBm | @ 1 GHz |
| 出力P1dB | +10 dBm | @ 1 GHz |
| S11 | -14 dB | @ 2.5 GHz |
| S22 | -12 dB | @ 2.5 GHz |
| S12 | -32 dB | @ 2.5 GHz |
| 供給電圧 | 5V | — |
| 供給電流 | 標準値 25 mA | — |
| システムインピーダンス | 50Ω | 試験条件 |
| パッケージ | SOT-363 | 6ピン |
標準的なRF性能は、5V電源を用いた50Ωシステムで特性評価されており、広帯域ゲインブロックの選択およびRF設計のための基準データを提供する。
周波数に対する典型的なRF性能
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IPv6ネットワークをサポート
