SMG1225DG.PDF
特徴
● GaAsアクティブデバイス
● パワーゲイン@25dB
● 低歪み
● 優れたリニアゲイン
● 低い雑音指数
● 高信頼性
● 低コスト
説明
SMG1225DGは、 GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール.
この部品は GaAs ダイを採用しており、電源電圧 +24V(DC) で 50 MHz ~ 1218MHz で動作します。
特徴 |
(帯域幅50~1218MHZ、Tmb=25℃、VB=24V、ZS=ZL=75Ω) |
シンボル | パラメータ | ユニット | 最小。 | 典型的な | マックス | 条件 |
Gp | パワーゲイン | dB | 24.5 | 25 | 26.5 | f=50MHZ |
Gp | パワーゲイン | dB | - | 26 | - | f=870MHZ |
Gp | パワーゲイン | dB | 25.5 | 26.5 | 28.5 | f=1218MHZ |
SL | 傾斜ケーブル相当 | dB | 0.5 | 1.0 | 2.0 | f=50~1218MHz |
FL | 周波数応答の平坦性 | dB | - | - | 0.8 | f=50~1218MHz |
S11&S22 | 入力&出力リターンロス | dB | - | - | -20 | f=50~320MHz |
S11&S22 | 入出力リターンロス | dB | - | - | -19 | f=321~640MHz |
S11&S22 | 入出力リターンロス | dB | - | - | -17 | f=641~870MHz |
S11&S22 | 入出力リターンロス | dB | - | - | -16 | f=871~1000MHz |
S11&S22 | 入出力リターンロス | dB | - | - | -15 | f=1001~1218MHz |
CTB | コンポジットトリプルビート | dB | - | -66 | -62 | Vo=48dBmV時 862MHz、フラット、98アナログ チャンネル
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CSO | 複合二次歪み | dB | - | -65 | -62 |
Xmod | クロスモジュレーション | dB | - | -68 | - |
CTB | 複合三拍子 | dB | - | -75 | - | VO=56.4dBmV(1218MHz)、 13.4dBの推定チルト 79 アナログチャンネルプラス 75 デジタルチャンネル (-6dB オフセット)
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CSO | 複合二次歪み | dB | - | -79 | - |
XMOD | X変調 | dB | - | -70 | - |
CIN |
| dB | - | -66 | - |
F | 雑音指数 | dB | - | 5.0 | 5.5 | f=50~1218MHz |
イトット | 総消費電流 | mA | 420 | 440 | 460 | VB=+24V |
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