SMG2342R.PDF
特徴
● Siアクティブデバイス
● パワーゲイン@35dB
● 低歪み
● 優れたリニアゲイン
● 低い雑音指数
● 高信頼性
● 低コスト
説明
SMG2342Rは、 ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール.
この部品は GaAs ダイを採用しており、5 MHz から 200MHz、電源電圧+24V(DC)。
特徴
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(帯域幅5~200MHZ、Tmb=25℃、VB=24V、ZS=ZL=75Ω) |
シンボル | パラメータ | ユニット | 最小。 | 典型的な | マックス。 | 条件 |
Gp | パワーゲイン | dB | 34.5 | - | 35.5 | f=10MHZ |
Gp | パワーゲイン | dB | - | 35 | - | f=200MHZ |
SL | 傾斜ケーブル相当 | dB | -0.5 | - | +0.5 | f=5~200MHZ |
FL | 周波数応答の平坦性 | dB | - | - | ±0.5 | f=5~200MHZ |
S11 | 入力リターンロス | dB | - | - | -18 | f=5~200MHZ |
S22 | 出力リターンロス | dB | - | - | -18 | f=5~200MHZ |
CTB | コンポジットトリプルビート | dB | - | - | -66 | 17チャンネルフラット。 Vo=50dBmV;
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CSO | 複合二次歪み | dB | - | - | -65 |
Xmod | クロスモジュレーション | dB | - | - | -60 |
F | 雑音指数 | dB | - | 4.3 | - | f=200MHz |
イトット | 総消費電流 | mA | 130 | 160 | - | VB=+24V |
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