AG50 50 MHz～4 GHz 高直線性RFゲインブロックアンプ

主な機能

● 4GHzまでの広帯域フラットゲイン

● 1950 MHzにおける出力IP3は38.0 dBm

● 1950 MHzにおけるゲイン19.6 dB

● 1950 MHzで19.6 dBm P1dB

● 50オームカスケード接続可能

● 鉛フリー／グリーン／RoHS指令準拠のSOT89パッケージ

● 単一5V電源

● ESD 1000V HBM

● MSL：レベル1

製品カテゴリ

サンランド社のAG50は、アクティブバイアスネットワークを備えたダーリントン構成を採用した高性能InGaP HBTMMICアンプです。アクティブバイアスネットワークにより、温度やプロセスβ値の変動に関わらず安定した電流供給を実現します。AG50は5V電源から直接動作するように設計されており、一般的なダーリントンアンプとは異なり、ドロップ抵抗を必要としません。

AG50は、小型で最小限の外部部品を必要とする、高直線性5Vゲインブロック用途向けに設計されています。内部インピーダンスは50Ωに整合されています。

AG50 / RF PERFORMANCE

Typical RF Performance

Frequency	Gain	OIP3	P1dB	NF
850 MHz	20.8 dB	40.0 dBm	20.5 dBm	2.8 dB
1950 MHz	19.6 dB	38.0 dBm	19.6 dBm	2.8 dB
2500 MHz	19.1 dB	35.4 dBm	18.9 dBm	3.0 dB
3500 MHz	18.6 dB	31.3 dBm	16.5 dBm	3.1 dB
4000 MHz	18.4 dB	30.5 dBm	16.1 dBm	3.4 dB

TEST BASIS

Typical values are measured at V_S = 5 V, I_S = 80 mA and T_L = 25°C in a 50 Ω system. OIP3 uses 1 MHz tone spacing with +5 dBm output power per tone.

AG50 / MEASURED CURVES