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SG207 DOCSIS アップストリームおよびダウンストリーム GaAs pHEMT RF アンプ IC

SG207 GaAs pHEMT single-ended RF amplifier IC in 3 × 3 QFN package

SG207 DOCSIS アップストリームおよびダウンストリーム GaAs pHEMT RF アンプ IC

主な機能

● 5MHz~1800MHz動作
5Vおよび7V動作
● ゲイン:21 dB(標準)
● 雑音指数:1.6 dB @ 1800 MHz
● OIP3:7V時、標準値39dBm
OP1dB: 7V時、標準値23dBm
● アップストリームアプリケーション:5 MHz~684 MHz
● ダウンストリームアプリケーション:47 MHz~1800 MHz
● 3×3 QFNパッケージ
● RoHS指令準拠

Sanland社のSG207は、DOCSIS 3.1およびDOCSIS 4.0のアップストリームおよびダウンストリームアプリケーション向けに設計されたGaAs pHEMTシングルエンドMMIC RFアンプICです。このデバイスは、アップストリーム動作を5MHz~684MHz、ダウンストリーム動作を47MHz~1800MHzでサポートし、コンパクトな3×3 QFNパッケージで標準ゲイン21dB、低雑音指数、高直線性を提供します。5Vまたは7Vの単一電源で動作するSG207は、光ノード、ヘッドエンドCMTS機器、FTTH GPON/GEPON、ケーブルモデム、ホームゲートウェイ、およびシングルエンドゲインブロックアプリケーションに適しています。

SG207 GaAs pHEMT RF amplifier typical upstream and downstream application circuit for 5 MHz to 1.8 GHz 75Ω broadband CATV systems

  • ダウンストリームアプリケーション、47~1800MHz
パラメータ +5V 標準 +7V 標準
頻度 47~1800MHz 47~1800MHz
供給電流 71mA 101mA
21 dB 21.4 dB
ゲイン勾配 1 dB 1 dB
逆分離 25 dB 25 dB
入力リターンロス 18 dB 20 dB
出力リターンロス 20 dB 20 dB
ノイズ指数 1.0 / 1.6 dB 1.0 / 1.6 dB
OIP3 36 dBm 39 dBm
OP1dB 20 dBm 23 dBm
熱抵抗 57℃/W 57℃/W

 

  • 上流アプリケーション、5~700MHz
パラメータ +5V 標準 +7V 標準
頻度 5~700MHz 5~700MHz
供給電流 70mA 100mA
21 dB 21.3 dB
ゲイン勾配 0.2 dB 0.2 dB
逆分離 23 dB 23 dB
入力リターンロス 21 dB 22 dB
出力リターンロス 20 dB 19 dB
ノイズ指数 0.9 / 1.0 dB 0.9 / 1.2 dB
OIP3 35 dBm 40 dBm
OP1dB 20 dBm 23 dBm
熱抵抗 57℃/W 57℃/W

SG207は、ケーブルネットワークインフラストラクチャおよびユーザー機器向けのDOCSISアップストリームおよびダウンストリームブロードバンドRFアプリケーションをサポートします。

  • DOCSIS 3.1 / DOCSIS 4.0 ネットワーク
  • 上流アプリケーション
  • 下流アプリケーション
  • 光ノード
  • ヘッドエンドCMTS機器
  • ケーブルモデムとホームゲートウェイ

SG207 GaAs pHEMT RF amplifier for DOCSIS 3.1 and DOCSIS 4.0 upstream and downstream applications, optical nodes, CMTS equipment, cable modems and home gateways

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